Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (2)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Bunak S$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Bunak S. V. 
Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X<2 [Електронний ресурс] / S. V. Bunak, A. A. Buyanin, V. V. Ilchenko, V. V. Marin, V. P. Melnik, I. M. Khacevich, O. V. Tretyak, A. G. Shkavro // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 12-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_5
The theoretical and experimental investigations of electrical properties of the SiO2/Si-ncs/SiO2/Si structures grown by high temperature annealing SiOX, <$Eroman X~<<~2>, have been carried out. The influence of Si cluster growth conditions on frequency dependences of <$EC~-~V> characteristics, static and dynamic conductance of investigated structures has been clearly observed. As a result of theoretical modeling, <$EC~-~V> dependences have been calculated. The experimentally obtained negative constituent of differential capacitance has been qualitatively described. It has been experimentally found that the SiO2/Si-ncs/SiO2/Si structures with the tunnel dielectric layer revealed the effect of memorizing.
Попередній перегляд:   Завантажити - 344.143 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Bunak S. V. 
Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters [Електронний ресурс] / S. V. Bunak, V. V. Ilchenko, V. P. Melnik, I. M. Hatsevych, B. N. Romanyuk, A. G. Shkavro, O. V. Tretyak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 241-246. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_22
The theoretical and experimental investigations of electrical properties of the Al-SiO2-(Si - ncs)-SiO2-Si structures grown using high temperature annealing SiOx, <$E x~<<~2>, have been carried out. It has been experimentally found that the Al-SiO2-(Si - ncs)-SiO2-Si structures with the tunnel dielectric layer revealed the effect of dynamic memory. Electric properties and parameters of the interface states located between Si - ncs and SiO2 were studied in detail by measuring of current-voltage, capacitance-voltage, and thermally stimulated current characteristics.
Попередній перегляд:   Завантажити - 298.288 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського